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IPD05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	丝印：05N03LA；Package：P-TO252-3-11；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPF05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	丝印：05N03LA；Package：P-TO251-3-23；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	丝印：05N03LA；Package：P-TO251-3-11；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	丝印：05N03LA；Package：P-TO251-3-1；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
05N03LAG	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
05N03LA	文件：1.68918 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68918 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
05N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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