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IPD05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	Marking：05N03LA；Package：P-TO252-3-11；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPS05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	Marking：05N03LA；Package：P-TO251-3-11；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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