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057N08NS	文件：328.28 Kbytes Page：9 Pages	型号：BSC057N08NS3G；Package：TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
057N08N	文件：598.19 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPA057N08N3G；Package：PG-TO220-FP；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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057N08NS

文件：328.28 Kbytes

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型号：BSC057N08NS3G；Package：TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

057N08N

文件：598.19 Kbytes

Page：10 Pages

型号：IPA057N08N3G；Package：PG-TO220-FP；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
057N08N
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多057N08N供应商更新时间2025-8-3 23:00:00

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