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038N12N

OptiMOSTM3 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

IPB038N12N3G

丝印:038N12N;Package:PG-TO263-3;N-channel, normal level

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switch

文件:878.72 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

IPI041N12N3G

丝印:038N12N;Package:PG-TO263-3;OptiMOSTM3 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

03N60C3

TO-251A

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市英科美电子有限公司

INFINEON/英飞凌

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更多038N12N供应商 更新时间2026-1-29 15:01:00