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02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 40lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distributi 文件：402.05 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
02N06Z	文件：168.29 Kbytes Page：4 Pages	0.2A, 60V SILICON N-CHANNEL MOSFET 文件：168.29 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
02N06ZG-AL3-R	文件：168.29 Kbytes Page：4 Pages	0.2A, 60V SILICON N-CHANNEL MOSFET 文件：168.29 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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02N17	文件：361.11 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere 文件：361.11 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
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02N19	文件：361.11 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere 文件：361.11 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
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02N50C3	文件：1.67675 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.67675 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
02N50G-TM3-T	文件：141.36 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：141.36 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

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