BSH111芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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BSH111	文件：115.78 Kbytes Page：13 Pages	丝印：-K3；Package：SOT-23；N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: BSH111 in SOT23. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very fast switching ■ Low threshold voltage ■ Subminiature surface mount package. Applications ■ Batte 文件：115.78 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI

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更多-K3供应商更新时间2026-1-19 13:41:00