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-K3	文件：115.78 Kbytes Page：13 Pages	型号：BSH111；Package：SOT-23；N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability:BSH111inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batte	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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文件：115.78 Kbytes

Page：13 Pages

型号：BSH111；Package：SOT-23；N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability:BSH111inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batte

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

型号：
-K3
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多-K3供应商更新时间2025-8-1 23:00:00

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