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STGWA60H65DFB	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGWA60H65DFB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT BIPO 650V 60A TO247-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
G60H65DFB	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	Trenchgatefield-stop650V,60AhighspeedHBseriesIGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DF	文件：1.92588 Mbytes Page：13 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBTwithveryfastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW60H65F	文件：1.43522 Mbytes Page：12 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65F	文件：1.51865 Mbytes Page：14 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBT Features ■Highspeedswitching ■Tightparameterdistribution ■Safeparalleling ■Lowthermalresistance ■6μsshort-circuitwithstandtime ■Leadfreepackage Applications ■Photovoltaicinverters ■Uninterruptiblepowersupply ■Welding ■Powerfactorcorrection ■Highswitching	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65FB	文件：1.23474 Mbytes Page：16 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT60H65DFB	文件：1.57984 Mbytes Page：19 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGWA60H65DFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，60A
开关能量：
1.59mJ（开），900µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
66ns/210ns
测试条件：
400V，60A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGWA60H65DFB供应商更新时间2024-6-17 17:12:00

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