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STGW60H65DRF分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGW60H65DRF |
| 参数属性 | STGW60H65DRF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 650V 120A 420W TO247 |
| 功能描述 | 60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode |
| 文件大小 |
2.06606 Mbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 19:40:00 |
STGW60H65DRF规格书详情
STGW60H65DRF属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体（ST）集团制造生产的STGW60H65DRF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
STGW60H65DRF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，60A
- 开关能量：
940µJ（开），1.06mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
85ns/178ns
- 测试条件：
400V，60A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 650V 120A 420W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
22+ |
BGA-100 |
6800 |
询价 | |||
ST |
1926+ |
TO-247 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023 |
TO-247 |
6000 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | ||
ST |
12+ |
TO247 |
825 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-247 |
6001 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
TO-247 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
TO247 |
60000 |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
询价 |
