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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STB120N4F6 | N-channel 40 V, 3.5 m廓 , 80 A, DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
N-channel40V,3.5m廓,80A,DPAK,D짼PAKSTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel4-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
Wettableflankpackage | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel40V,3.8m廓,80A,TO-220STripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel40-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
STB120N4F6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
5000 |
原厂原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
22+ |
198000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
STMICROELECTRONICS |
23+ |
63000 |
全新原装，有询必回 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
TO263 |
9000 |
只有原装,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023 |
TO-263-3 |
6000 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2133 |
NA |
198000 |
自营现货,只做正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
ST |
18+ |
30 |
进口原装假一罚十 |
询价 |
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