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STB18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB18NM60N	文件：297.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.27 廓, 13 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220, TO-220FP, TO-247, D짼PAK and I짼PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB18NM60ND	文件：1.42346 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB18NM60ND	文件：313.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
18NM60N	文件：610.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.260廓,6APowerFLAT??8x8HVMDmesh??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STF18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF18NM60N	文件：294.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF18NM60ND	文件：311.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF18NM60ND	文件：1.42346 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V-0.25typ.,13AFDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D짼PAKandI짼PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL18NM60N	文件：610.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.260廓,6APowerFLAT??8x8HVMDmesh??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：998.82 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.27廓,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220,TO-220FP,TO-247,D짼PAKandI짼PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：303.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP18NM60ND	文件：320.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STW18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.26廓typ.,13AMDmesh??IIPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
STB18NM60N
功能描述：
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13 A MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STB18NM60N供应商更新时间2024-5-20 16:48:00

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