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STB38N65M5	文件：1.58846 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB38N65M5	文件：313.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF38N65M5	文件：310.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF38N65M5	文件：1.58846 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.073,30AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW38N65M5	文件：324.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=95mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingapp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL38N65M5	文件：1.10742 Mbytes Page：17 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP38N65M5	文件：1.58846 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.073,30AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP38N65M5	文件：320.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW38N65M5	文件：436.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW38N65M5	文件：1.58846 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.073,30AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB38N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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