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STB200N6F3	文件：858.28 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STB200N6F3
功能描述：
MOSFET N-channel 60 V 3 m 120 A TO-22
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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