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STB20NM60T4	文件：355.14 Kbytes Page：15 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features 1.Highdv/dtandavalanchecapabilities 2.100avalanchetested 3.Lowinputcapacitanceandgatecharge 4.Lowgateinputresistance Applications 1.Switchingapplications Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultiple	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB20NM60T4	文件：440.68 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 0.25廓 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET Features 1.Highdv/dtandavalanchecapabilities 2.100avalanchetested 3.Lowinputcapacitanceandgatecharge 4.Lowgateinputresistance Applications 1.Switchingapplications Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultiple	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STB20NM60T4

文件：355.14 Kbytes

Page：15 Pages

N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET

Features 1.Highdv/dtandavalanchecapabilities 2.100avalanchetested 3.Lowinputcapacitanceandgatecharge 4.Lowgateinputresistance Applications 1.Switchingapplications Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultiple

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STB20NM60T4

文件：440.68 Kbytes

Page：18 Pages

N-channel 600V - 0.25廓 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB20NM60T4
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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