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STB36NM60N	文件：1.36347 Mbytes Page：18 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB36NM60N	文件：1.04479 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in a D²PAK package Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB36NM60N_V01	文件：1.04479 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in a D²PAK package Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB36NM60ND	文件：1.36347 Mbytes Page：18 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
36NM60N	文件：1.04479 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,0.093Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW36NM60N	文件：869.77 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.092Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinTO-247 Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications –Automotive Description Thisdeviceismadeusingthesecondgeneration ofMDmesh™technology.Thisrevolutionary PowerMOSFETassociatesanewve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW36NM60ND	文件：1.36347 Mbytes Page：18 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,0.097typ.,29AFDmeshII Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB36NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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