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STB12NM50ND	文件：584.84 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 500 V, 0.29 廓, 11 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK Description FDmesh™technologycombinestheMDmesh™featureswithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Theresultingproducthasreducedonresistanceandfastswitchingcommutations,makingitespeciallysuitableforbridgetopologieswherelowtrrisrequired. ■100avalanchetested ■Lowi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50ND	文件：1.03153 Mbytes Page：16 Pages	N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50ND	文件：313.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB12NM50ND	文件：1.04005 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB12NM50ND_09	文件：1.03153 Mbytes Page：16 Pages	N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
12NM50	文件：544.65 Kbytes Page：17 Pages	N-channel550V@tjmax-0.30廓-12ATO-220/FP/D2/I2PAKMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
12NM50ND	文件：1.039369 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
F12NM50N	文件：588.5 Kbytes Page：19 Pages	N-channel500V,0.29廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220-DPAK-D2PAK-I2PAK-TO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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P12NM50FP	文件：466.66 Kbytes Page：18 Pages	N-channel500V-0.32廓-12A-TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247FDmesh??PowerMOSFET(withfastdiode)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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P12NM50FP	文件：115.55 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.3W-12ATO-220/TO-220FP/IPAKMDmesh]PowerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P12NM50FP	文件：1.02252 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P12NM50FP	文件：588.5 Kbytes Page：19 Pages	N-channel500V,0.29廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220-DPAK-D2PAK-I2PAK-TO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??PowerMOSFETwithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50	文件：115.55 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.3W-12ATO-220/TO-220FP/IPAKMDmesh]PowerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50	文件：544.65 Kbytes Page：17 Pages	N-channel550V@tjmax-0.30廓-12ATO-220/FP/D2/I2PAKMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50	文件：1.040069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB12NM50FD	文件：466.66 Kbytes Page：18 Pages	N-channel500V-0.32廓-12A-TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247FDmesh??PowerMOSFET(withfastdiode)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB12NM50FD	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??PowerMOSFETwithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
STB12NM50ND
功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STB12NM50ND供应商更新时间2024-5-17 14:25:00

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