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STB12NM50ND中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
STB12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
20+ |
TO-263-3 |
65300 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
23+ |
TO263 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
ST |
19+ |
TO-263 |
13997 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
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询价 | ||
ST |
1816+ |
TO-263 |
6523 |
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ST/意法 |
22+ |
D2PAK |
21456 |
询价 | |||
ST |
TO-263 |
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询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
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询价 | ||
ST专家 |
2022 |
D2PAK |
5880 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 |
