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STB120N4LF6

N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STB120N4LF6

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD120N4LF6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

STD120N4LF6

N-channel40V,3.1m廓,80ADPAK,D짼PAKSTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STL120N4LF6AG

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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详细参数

  • 型号:

    STB120N4LF6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
2016
10000
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ST/意法
2316+
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D2PAK(TO-263)
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ST/意法半导体
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TO-263-3
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更多STB120N4LF6供应商 更新时间2024-10-31 14:00:00