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NE4210S01-T1	文件：65.23 Kbytes Page：16 Pages	XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NE4210S01-T1	文件：252.15 Kbytes Page：7 Pages	SUPERLOWNOISEHJFET DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE4210S01-T1	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE4210S01-T1B	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE4210S01-T1B	文件：65.23 Kbytes Page：16 Pages	XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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详细参数

型号：
NE4210S01-T1B-A
功能描述：
MOSFET Super Lo Noise HJFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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