首页>NE4210S01-T1>规格书详情
NE4210S01-T1中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
NE4210S01-T1 |
| 参数属性 | NE4210S01-T1 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：HJ-FET 13DB S01 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 文件大小 |
199.83 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 22:58:00 |
NE4210S01-T1规格书详情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm
产品属性
- 产品编号：
NE4210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2016+ |
SMT-86 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
CAL |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
CEL/NEC |
SMT-86 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NEC |
1742+ |
SMT |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
询价 | ||
RENESAS |
2020+ |
SMT86 |
5691 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
DO-4 |
18689 |
询价 | |||
NEC |
1315+ |
12000 |
0 |
绝对原装现货可开17增税,特价出售 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
9980 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 |
