| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT86 |
127 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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RENESASVQFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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RENESASSMD |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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NECSMT-86 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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NECSO86 |
23290 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NEC原厂原装 |
9960 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSMT-86 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气车规-光电器件 |
26800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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NECSOT86 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨STM86 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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CELSMD |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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NECTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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6000 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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3000 |
公司存货 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NECSMT-86 |
6000 |
14 |
绝对原装自己现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NEC |
50000 |
00+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
7650 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSMT |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NEC |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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CELSMD |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
NE4210S01采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE4210S01图片
NE4210S01中文资料Alldatasheet PDF
更多NE4210S01功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-A功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-T1制造商:Renesas Electronics Corporation
NE4210S01T1B制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
NE4210S01-T1B功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-T1B-A功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
NE4210S01
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
