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NE4210S01-T1B中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
NE4210S01-T1B |
| 参数属性 | NE4210S01-T1B 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：HJ-FET 13DB S01 |
| 功能描述 | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
65.23 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
NEC【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 22:58:00 |
NE4210S01-T1B规格书详情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
产品属性
- 产品编号：
NE4210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SMT86 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
SMD |
6000 |
询价 | |||
NEC |
20+ |
SMT-86 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
STM86 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SMT-86 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
RENESAS |
2020+ |
SMT86 |
5691 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
SMD |
4000 |
询价 | |||
RENEASA |
21+ |
SMT-86 |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
22+ |
TO-50 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
RENEASA |
23+ |
SMT-86 |
4494 |
原厂原装正品 |
询价 |
