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NE4210S01-T1B中文资料PDF规格书
厂商型号 |
NE4210S01-T1B |
参数属性 | NE4210S01-T1B 封装/外壳为4-SMD;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:HJ-FET 13DB S01 |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
199.83 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-30 16:45:00 |
NE4210S01-T1B规格书详情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm
产品属性
- 产品编号:
NE4210S01-T1B
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
12GHz
- 增益:
13dB
- 额定电流(安培):
15mA
- 噪声系数:
0.5dB
- 封装/外壳:
4-SMD
- 供应商器件封装:
SMD
- 描述:
HJ-FET 13DB S01
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
SMD |
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