| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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RENESASSMD |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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RENESASVQFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT86 |
127 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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NECSMT-86 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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NECSO86 |
23290 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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NECSMT-86 |
12000 |
2021+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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SOP-8 |
36500 |
20+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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6000 |
23+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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RENESASSMT86 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨STM86 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NECSO86 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NECSMT86 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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TO-50NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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CEL/NECSMT-86 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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RENESASSMT86 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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RENESASSMT86 |
5691 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTSMD |
4000 |
20+ |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NEC/Renesas Electronics AmericSMT36 |
3002 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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RENESASTO-50 |
5000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
NE4210S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE4210S图片
NE4210S01-T1B中文资料Alldatasheet PDF
更多NE4210S01功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-A功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-T1制造商:Renesas Electronics Corporation
NE4210S01T1B制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
NE4210S01-T1B功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE4210S01-T1B-A功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
