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IXTR36P15P	文件：128.15 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FQA36P15	文件：658.67 Kbytes Page：8 Pages	150VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：658.67 Kbytes Page：8 Pages	150VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：869.64 Kbytes Page：9 Pages	150VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA36P15	文件：363.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTQ36P15	文件：342.04 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=110mΩ（max）@VGS=-10V APPLICATIONS ·Switchingapplications ·DCChoppers ·AutomaticTestEquipment	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTR36P15P
功能描述：
MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTR36P15P供应商更新时间2024-4-30 10:12:00

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