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IXTH8P50	文件：75.09 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MSAEX8P50A	文件：49.32 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET/FRED Features ●Highvoltagep-channelpowermosfetwithparallelfastswitching,softrecoveryfred;complementsMSAFX24N50A ●Ultrafastbodydiode ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ●Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackag	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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IXTH8P50

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StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

MSAEX8P50A

文件：49.32 Kbytes

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P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET/FRED

Features ●Highvoltagep-channelpowermosfetwithparallelfastswitching,softrecoveryfred;complementsMSAFX24N50A ●Ultrafastbodydiode ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ●Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackag

MicrosemiMicrosemi Corporation

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详细参数

型号：
IXTT8P50
功能描述：
MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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