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IXTT75N10	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOS FET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT75N10L2	文件：145.4 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
75N10	文件：412.76 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
75N10	文件：58.98 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CEB75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
HY75N10T	文件：244.29 Kbytes Page：4 Pages	100V/75AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
IXFH75N10	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH75N10Q	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：275.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA75N10P	文件：581.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA75N10P	文件：266.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Idealforhigh-frequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTC75N10	文件：73.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
IXTT75N10
功能描述：
MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTT75N10	IXYS	24+	TO-268AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IXTT75N10	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTT75N10	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTT75N10	IXYS	22+	TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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更多IXTT75N10供应商更新时间2024-5-17 23:14:00

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