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IXTT82N25P	文件：610.02 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT82N25P	文件：164.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT82N25P_V01	文件：164.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
82N25	文件：280.01 Kbytes Page：13 Pages	VOLTAGEDETECTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
IXTK82N25P	文件：164.91 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXTT82N25P
功能描述：
MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTT82N25P供应商更新时间2024-5-4 14:13:00

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