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IRL640PBF	文件：930.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.18廓,ID=17A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL640PBF	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitiveavalancherated	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI640G	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640G	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRLI640G	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRLI640GPBF	文件：1.37307 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRLS640A	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLS640A	文件：258.089 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=9.8A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多IRFP640NPBF供应商更新时间2024-5-26 14:30:00

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