| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-247 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRFZ24N,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
39896 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
50 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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IRTO-220 |
11000 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSOC |
5000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
2200 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
60000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
19316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
2995 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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INFINEONTO-220 |
185 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
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IRTO-220 |
10338 |
19+/20+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
7203 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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D2-PAK |
12500 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
IRFZ24N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRFZ24NPBF价格
IRFZ24NPBF价格：￥1.0701品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFZ24NPBF多少钱，想知道IRFZ24NPBF价格是多少？参考价：￥1.0701。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ24NPBF批发价格及采购报价，IRFZ24NPBF销售排行榜及行情走势，IRFZ24NPBF报价。
IRFZ24NSPBF资讯
IRFZ24NPBF 原装正品 热卖库存 深圳市神舟芯电子科技有限公司
深圳市神舟芯电子科技有限公司联系人：张小姐电话：0755-23156358/15814652535传真：0755-23156358地址：深圳市宝安区民治大道华侨新苑5--11AQQ：2443899114网址：www.szx-ic.com本公司只做原装，散新勿扰！IRFZ24NPBF功能描述:MOSFETMOSFT55V17A70mOhm13.3nC
IRFZ24N 大量现货供应，IRFZ24N场效应管 TO/220/263封装
型号：IRFZ24NSTRR 品牌：IR/国际整流器 描述MOSFETN-CH55V17AD2PAK 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：标准型 漏极至源极电压(Vdss
IRFZ24NPBF
产品资料： 类别分立半导体产品 家庭FET-单 系列HEXFET® FET类型MOSFETN通道，金属氧化物 FET功能标准 漏源极电压(Vdss)55V 电流-连续漏极(Id)（25°C时）17A 不同Id、Vgs时的
IRFZ24NSPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ24N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
IRFZ24N,127功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ24NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRFZ24NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ24NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24NS制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRFZ24NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ24NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
