选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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VISHAY/威世TO-252 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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VISHAY/IR原厂封装 |
9025 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-252 |
17 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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TO-252VISHAY |
16000 |
2030 |
全新原装公司现货 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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IRTO252 |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世TO-252 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚百 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRSOT-252 |
3000 |
20+ |
支持实单/原盒/原包/原标/进口原装 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRTO252 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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VISHAY/威世TO-252 |
12000 |
21+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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6000 |
21+ |
TO-252-3 (DPAK) |
IRFR014采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR014图片
IRFR014TRPBF价格
IRFR014TRPBF价格:¥1.3797品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR014TRPBF多少钱,想知道IRFR014TRPBF价格是多少?参考价:¥1.3797。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR014TRPBF批发价格及采购报价,IRFR014TRPBF销售排行榜及行情走势,IRFR014TRPBF报价。
IRFR014TRLPBF资讯
IRFR014TRPBF正品原装MOS管,正品原装,大量现货库存热卖 IRFR014TRPBF
型号:IRFR014TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)@25°C:7.7A开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:200毫欧@4.6A,10VId时的Vgs(th)(最大):4V@250μA闸电荷(Qg
IRFR014TRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFR014A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA
IRFR014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR014TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube