选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscIPAK/TO-251 |
5000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IR原装TO-251 |
50 |
05+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
159839 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-251 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251 |
112048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251 |
116316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-251 |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
990 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRTO-251 |
21450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-251 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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IRTO-251 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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1665 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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VISHAYI-PAK (TO-251) |
5175 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IR/INFINEONTO-251 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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IRTO-251 |
2519 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-251 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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VISHAYTO-251 |
65400 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
11000 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
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INFINEONTO-251 |
5000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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IRFU120图片
IRFU120NPBF价格
IRFU120NPBF价格:¥1.5143品牌:INTERNATIONAL
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IRFU120NPBF资讯
IRFU120NPBF
IRFU120NPBF
IRFU120NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU120功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU120_R4941功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU1205功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU1205PBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU120A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFU120ATU功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU120N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N I-PAK
IRFU120NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU120PBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU120TR制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET