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HGTG7N60A4	文件：204.5 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT TheHGT1S7N60A4S9A,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGTG7N60A4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 34A 125W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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7N60A4	文件：204.5 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGT1S7N60A4S9A,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGTP7N60A4	文件：191.58 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTP7N60A4	文件：168.06 Kbytes Page：11 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTD7N60A4S,HGT1S7N60A4S,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchlower	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTP7N60A4	文件：204.5 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGT1S7N60A4S9A,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTP7N60A4D	文件：143.32 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG7N60A4D,HGTP7N60A4DandHGT1S7N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-state	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTP7N60A4D	文件：134.44 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG7N60A4D,HGTP7N60A4DandHGT1S7N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-state	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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产品属性

产品编号：
HGTG7N60A4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
开关能量：
55µJ（开），60µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/100ns
测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 34A 125W TO247

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更多HGTG7N60A4供应商更新时间2024-5-2 10:48:00

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