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HGTP20N35G3VL	文件：209.48 Kbytes Page：8 Pages	20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Description ThisN-ChannelIGBTisaMOSgated,logicleveldevicewhichisintendedtobeusedasanignitioncoildriverinautomotiveignitioncircuits.UniquefeaturesincludeanactivevoltageclampbetweenthecollectorandthegatewhichprovidesSelfClampedInductiveSwitching(SCIS)cap	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTP20N35G3VL	文件：106.91 Kbytes Page：6 Pages	20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Description ThisN-ChannelIGBTisaMOSgated,logicleveldevicewhichisintendedtobeusedasanignitioncoildriverinautomotiveignitioncircuits.UniquefeaturesincludeanactivevoltageclampbetweenthecollectorandthegatewhichprovidesSelfClampedInductiveSwitching(SCIS)cap	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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HGTP20N35G3VL

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20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

Description ThisN-ChannelIGBTisaMOSgated,logicleveldevicewhichisintendedtobeusedasanignitioncoildriverinautomotiveignitioncircuits.UniquefeaturesincludeanactivevoltageclampbetweenthecollectorandthegatewhichprovidesSelfClampedInductiveSwitching(SCIS)cap

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTP20N35G3VL

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20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

详细参数

型号：
HGTP20N35G3VL
功能描述：
IGBT 晶体管 Coil Dri 20A 350V
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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