选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
85 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHITO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
3400 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO220AB3 |
6000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
80000 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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FSCTO-220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SMD |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
9526 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-220 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
6850 |
23+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHITO-220 |
8276 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
12259 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
HGTP3N60A4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HGTP3N60A4图片
HGTP3N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP3N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT NPT Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP3N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4D9A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
产品属性
- 产品编号:
HGTP3N60A4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,3A
- 开关能量:
37µJ(开),25µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
6ns/73ns
- 测试条件:
390V,3A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 17A 70W TO220AB