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HGTP7N60A4D中文资料PDF规格书

HGTP7N60A4D
厂商型号

HGTP7N60A4D

参数属性

HGTP7N60A4D 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 34A 125W TO220AB

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

189.45 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-10 18:28:00

产品属性

  • 产品编号:

    HGTP7N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    55µJ(开),60µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    11ns/100ns

  • 测试条件:

    390V,7A,25 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 34A 125W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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