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IRFBL10N60A	文件：117.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IXFA10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA10N60P	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM10N60	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP10N60	文件：296.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.74Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGA10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGA10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
FQPF10N60C
功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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