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IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH10N60B2D1	文件：517.22 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH10N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 100W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
10N60	文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
10N60	文件：232.49 Kbytes Page：9 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
10N60	文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10N60	文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
10N60	文件：688.22 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
10N60	文件：192.91 Kbytes Page：2 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
10N60	文件：820.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
10N60	文件：2.24614 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
10N60	文件：398.47 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
10N60	文件：293.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
10N60	文件：2.72841 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
10N60A	文件：962.23 Kbytes Page：6 Pages	10A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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详细参数

型号：
IXSH10N60
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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