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IGP10N60T	文件：316.02 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5μs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply •TRENCHSTOP™andFieldstoptechn	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP10N60T	文件：444.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor60	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHD10N60RA	文件：829.54 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKA10N60T	文件：368.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,aircon	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKA10N60T	文件：515.9 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKB10N60T	文件：643.39 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60R	文件：1.90634 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RA	文件：2.20257 Mbytes Page：16 Pages	600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RFA	文件：1.75585 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：458.12 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：352.4 Kbytes Page：13 Pages	TrenchStopSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
FQPF10N60C
功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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