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ZXTP25140BFHQ中文资料PNP, 140V, 1A, SOT23数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTP25140BFHQ

参数属性

ZXTP25140BFHQ 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 140V 1A SOT23-3

功能描述

PNP, 140V, 1A, SOT23
TRANS PNP 140V 1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-7 17:00:00

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ZXTP25140BFHQ规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

特性 Features

BVCEO > -140V
BVECO > -7V
IC = -1A Continuous Collector Current
VCE(SAT) < -260mV @ -1A
RCE(SAT) = 180mΩ
High Power Dissipation SOT23
180V Forward Blocking Voltage
Low Saturation Voltage

应用 Application

DC-DC Converters
High-Side Switching

简介

ZXTP25140BFHQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTP25140BFHQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTP25140BFHQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :1

  • ICM (A)

    :3

  • PD (W)

    :1.25

  • hFE (Min)

    :100

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :100

  • hFE (@ IC2) (A)

    :0.1

  • VCE(sat) Max (mV)

    :135

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/2

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :230

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :0.5/25

  • fT (MHz)

    :75

  • RCE(sat) (mΩ)

    :180

  • Packages

    :SOT23

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