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ZXTP25140BFHQ中文资料PNP, 140V, 1A, SOT23数据手册Diodes规格书

| 厂商型号 |
ZXTP25140BFHQ |
| 参数属性 | ZXTP25140BFHQ 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 140V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP, 140V, 1A, SOT23 |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 12:00:00 |
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ZXTP25140BFHQ规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.
特性 Features
BVCEO > -140V
BVECO > -7V
IC = -1A Continuous Collector Current
VCE(SAT) < -260mV @ -1A
RCE(SAT) = 180mΩ
High Power Dissipation SOT23
180V Forward Blocking Voltage
Low Saturation Voltage
应用 Application
DC-DC Converters
High-Side Switching
简介
ZXTP25140BFHQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Diodes制造生产的ZXTP25140BFHQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:ZXTP25140BFHQ
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
:Automotive
- Polarity
:PNP
- IC (A)
:1
- ICM (A)
:3
- PD (W)
:1.25
- hFE (Min)
:100
- hFE (@ IC) (A)
:0.01
- hFE(Min 2)
:100
- hFE (@ IC2) (A)
:0.1
- VCE(sat) Max (mV)
:135
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
:0.1/2
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
:230
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
:0.5/25
- fT (MHz)
:75
- RCE(sat) (mΩ)
:180
- Packages
:SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
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DIODES(美台) |
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DIODES/美台 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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SOT23 |
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