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ZXTP2029F分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTP2029F
厂商型号

ZXTP2029F

参数属性

ZXTP2029F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A SOT23-3

功能描述

100V, SOT23, PNP medium power transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

439.04 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 14:19:00

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ZXTP2029F规格书详情

描述 Description

Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

特性 Features

• Higher power dissipation SOT23 package

• High peak current

• Low saturation voltage

• 130V forward blocking voltage

Applications

• MOSFET and IGBT gate driving

• Motor drive

• DC-DC converters

• High side switches

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2029FTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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