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ZXTN25012EFLTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZXTN25012EFLTA |
| 参数属性 | ZXTN25012EFLTA 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 |
| 功能描述 | 12V, SOT23, NPN low power transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
476.5 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Zetex |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 23:00:00 |
| 人工找货 | ZXTN25012EFLTA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXTN25012EFLTA规格书详情
描述 Description
Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents.
特性 Features
• High peak current
• Low saturation voltage
• 6V reverse blocking voltage
Applications
• MOSFET and IGBT gate driving
• DC-DC conversion
• LED driving
• Interface between low voltage ICs and load
产品属性
- 产品编号：
ZXTN25012EFLTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
260MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
4950 |
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DIODES |
24+ |
SOT23 |
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ZETEX |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT-23 |
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ZETEX |
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SOT23 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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DIODES/ZETEX |
23+ |
原厂封装 |
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振宏微原装正品,假一罚百 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
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Diodes Incorporated |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
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ZETEX |
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