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ZXTN25012EFHTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

ZXTN25012EFHTA

参数属性

ZXTN25012EFHTA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 12V 6A SOT23-3

功能描述

12V, SOT23, NPN medium power transistor
TRANS NPN 12V 6A SOT23-3

丝印标识

1C3

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

387.21 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-30 23:00:00

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ZXTN25012EFHTA规格书详情

ZXTN25012EFHTA属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的ZXTN25012EFHTA晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

特性 Features

• High power dissipation SOT23 package

• High peak current

• Very high gain

• Low saturation voltage

• 6V reverse blocking voltage

Applications

• MOSFET gate drivers

• Power switches

• Motor control

• DC fans

• DC-DC converters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ZXTN25012EFHTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    190mV @ 120mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    260MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 12V 6A SOT23-3

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