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ZXT13P20DE6中文资料PDF规格书

ZXT13P20DE6
厂商型号

ZXT13P20DE6

参数属性

ZXT13P20DE6 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 20V 4A SOT26

功能描述

20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

418.99 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 22:30:00

ZXT13P20DE6规格书详情

SUMMARY

VCEO=-20V; RSAT = 47m ; IC= -3.5A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Extremely Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 10A

• IC=3.5A Continuous Collector Current

• SOT23-6 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT13P20DE6TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 350mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-26

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 4A SOT26

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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