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ZX5T851G中文资料PDF规格书

ZX5T851G
厂商型号

ZX5T851G

参数属性

ZX5T851G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

132.24 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-20 22:58:00

ZX5T851G规格书详情

Features

• BVCEO > 60V

• IC = 6A High Continuous Collector Current

• ICM = 20A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -60mV @ -1A

• RSAT = 35mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• hFE Specified up to 10A for a High Gain Hold-Up

• Complementary PNP Type: ZX5T951G

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Emergency Lighting Circuits

• MOSFET & IGBT Gate Drivers

• Solenoid, Relay and Actuator Drivers

• DC Modules

• Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    ZX5T851GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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