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ZX5T2E6TA

20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6

DESCRIPTION Packaged in the SOT2 3 -6 outline this new 5 th generation low saturation 20V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • 3.5 Amps continuous current • Extremely low sat

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ZETEX

ZX5T2E6TA

20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6

DESCRIPTION Packaged in the SOT2 3 -6 outline this new 5 th generation low saturation 20V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • 3.5 Amps continuous current • Extremely low sat

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DIODES

美台半导体

ZX5T2E6TA

20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件:330.48 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZX5T2E6TA

Package:SOT-23-6;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZX5T2E6TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    130mV @ 350mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZX5T2E6TA供应商 更新时间2026-1-31 15:14:00