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BB535	文件：83.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •ForUHFandTV/TRtuners •Largecapacitanceratio,lowseriesresistance	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB535	文件：23.7 Kbytes Page：4 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForUHFandTV/TRtunersLargecapacitanceratio,lowseriesresistance) SiliconVariableCapacitanceDiode •ForUHFandTV/TRtuners •Largecapacitanceratio,lowseriesresistance	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB535	文件：92.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB535	文件：911.51 Kbytes Page：9 Pages	ForUHF-TV-tuners	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB535	文件：910.7 Kbytes Page：10 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForUHF-TV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD535	文件：38.08 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •LowSaturationVoltage •ComplementtoBD534,BD536andBD538respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD535	文件：44.63 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD533,BD535,andBD537aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackage,intentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesareBD534,BD536,andBD538respectively. ■BD534,BD535,BD536,BD537ANDBD5	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：92.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD534/536/538 ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD535	文件：356.92 Kbytes Page：11 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：61.85 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
ZVNL535ASTOB
功能描述：
MOSFET N-Chnl 350V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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