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BD535	文件：38.08 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Low Saturation Voltage • Complement to BD534, BD536 and BD538 respectively 文件：38.08 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD535	文件：77.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS • BD533, 535, 537 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS • BD534, 536, 538 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：77.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD535	文件：133.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD534/536/538 ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：133.14 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD535	文件：92.27 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD534/536/538 ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：92.27 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD535	文件：44.63 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD533, BD535, and BD537 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in Jedec TO-220 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD534, BD536, and BD538 respectively. ■ BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD5 文件：44.63 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：358.05 Kbytes Page：11 Pages	Complementary power transistors DESCRIPTION The BD533, BD535, and BD537 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in Jedec TO-220 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD534, BD536, and BD538 respectively. ■ BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD5 文件：358.05 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：356.92 Kbytes Page：11 Pages	Complementary power transistors 文件：356.92 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：61.85 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：61.85 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD535	文件：93.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：93.85 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD535	文件：130.919 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：130.919 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
BD535(J,K)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243A,BD587,3DD64C,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
50

产品属性

产品编号：
BD535
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 2A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 60V 8A TO220

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