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ZVN4306G	文件：43.17 Kbytes Page：2 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FeaturesandBenefits •V(BR)DSS>60V •RDS(ON)≤0.33Ω@VGS=10V •MaximumContinuousDrainCurrentID=2.1A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVN4306G	文件：31.61 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FEATURES VerylowRDS(ON)=.33Ω APPLICATIONS DC-DCConverters *Solenoids/RelayDriversforAutomotive PARTMARKINGDETAIL-ZVN4306	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVN4306GV	文件：118.79 Kbytes Page：4 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FEATURES BVDSS=60V RDS(ON)=0.33Ω RepetitiveAvalancheRating APPLICATIONS DC-DCConverters Solenoids/RelayDriversforAutomotive StepperMotorDrivers	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVN4306GV	文件：125.67 Kbytes Page：4 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FeaturesandBenefits •BVDSS=60V •RDS(ON)=0.33Ω •RepetitiveAvalancheRating •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •DC-DCConverters •Solenoids/	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVN4306GVTA	文件：1.84009 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZVN4306V	文件：1.09016 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
ZVN4306AVSTOB
功能描述：
MOSFET Avalanche
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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