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深圳市高捷芯城科技有限公司

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DIODES(美台)SOT-223

8498

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市汇莱威科技有限公司

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DIODES/美台SOT223

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

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ZETEXSOT-223

1000

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市金华微盛电子有限公司

5年 留言
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DIODES/美台SOT223

78550

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市正纳电子有限公司

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DIODES原厂原包原封△

2000

ROHS全新原装

原装代理经销特价原装现货小批量支持QQ350053121

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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DIODES/美台SOT-223

120000

20+

原装正品 可含税交易

深圳市航润创能电子集团有限公司

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DIODES/美台SOT-223-3

1000

21+

只做原装,假一罚十

深圳市福田区晶康业电子商行

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DIODESSOT223

10580

20+

全新原装,价格优势

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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ZETXNA/

3280

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市汇莱威科技有限公司

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ZETEX/DIODESTO-223

500102

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市跃创芯科技有限公司

3年 留言
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ZETEXTO-223

30000

2022+

进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十

深圳市汇莱威科技有限公司

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ZETEX/DIODESTO-223

500102

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市特顺芯科技有限公司

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ZETEXTO-92

3156

04+

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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ZETEXTO-223

35200

21+

一级代理/放心采购

深圳市创新迹电子有限公司

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ZETEXTO-223

30000

2022+

进口原装现货供应,原装 假一罚十

深圳市安富世纪电子有限公司

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ZETEXTO-223

32500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市华来深电子有限公司

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ZETEXTO92

8560

23+

受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市威尔健半导体有限公司

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ZETXTO-92

30

23+

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ZETEXTO-223

800

2022+

原厂代理 终端免费提供样品

深圳市维尔达电子有限公司

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ZETEXTO-223

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2023+

一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

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生产厂家品牌为Diodes的ZVN2110GTA多少钱,想知道ZVN2110GTA价格是多少?参考价:¥1.1846。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ZVN2110GTA批发价格及采购报价,ZVN2110GTA销售排行榜及行情走势,ZVN2110GTA报价。

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ZVN2110A功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110AM1功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 320MA I(D) | SO

ZVN2110ASTOA功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110ASTOB功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110ASTZ功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110B功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 850MA I(D) | TO-39

ZVN2110C功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110CSTOA功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110CSTOB功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVN2110CSTZ功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube