选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ZETEXSOT-223 |
1000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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DIODES原厂原包原封△ |
2000 |
ROHS全新原装 |
原装代理经销特价原装现货小批量支持QQ350053121 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT-223-3 |
1000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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DIODESSOT223 |
10580 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ZETXNA/ |
3280 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ZETEX/DIODESTO-223 |
500102 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ZETEXTO-223 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ZETEX/DIODESTO-223 |
500102 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ZETEXTO-92 |
3156 |
04+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ZETEXTO-223 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ZETEXTO-223 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ZETEXTO-223 |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ZETEXTO92 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ZETXTO-92 |
30 |
23+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ZETEXTO-223 |
800 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ZETEXTO-223 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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ZVN2110图片
ZVN2110GTA价格
ZVN2110GTA价格:¥1.1846品牌:Diodes
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更多ZVN2110A功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110AM1功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 320MA I(D) | SO
ZVN2110ASTOA功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110ASTOB功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110ASTZ功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110B功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 850MA I(D) | TO-39
ZVN2110C功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110CSTOA功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110CSTOB功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2110CSTZ功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube