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ZTX849分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

ZTX849

参数属性

ZTX849 封装/外壳为E-Line-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 5A E-LINE

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
TRANS NPN 30V 5A E-LINE

封装外壳

E-Line-3

文件大小

72.39 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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ZTX849规格书详情

ZTX849属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的ZTX849晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

FEATURES

* 5 Amps continuous current

* Up to 20 Amps peak current

* Very low saturation voltages

APPLICATIONS

* LCD backlight converter

* Flash gun converters

* Battery powered circuits

* Motor drivers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ZTX849

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 200mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    E-Line-3

  • 供应商器件封装:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 5A E-LINE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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