ZTX788A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | ZTX788A | 
| 参数属性 | ZTX788A 封装/外壳为E-Line-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 15V 3A E-LINE | 
| 功能描述 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | 
| 封装外壳 | E-Line-3 | 
| 文件大小 | 58.3 Kbytes | 
| 页面数量 | 2 页 | 
| 生产厂商 | DIODES | 
| 中文名称 | 美台半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 20:07:00 | 
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ZTX788A规格书详情
ZTX788A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的ZTX788A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
FEATURES
* 15 Volt VCEO
* Gain of 200 at IC=2 Amps
* Very low saturation voltage
产品属性
更多- 产品编号:ZTX788A 
- 制造商:Diodes Incorporated 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:散装 
- 晶体管类型:PNP 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):330mV @ 200mA,3A 
- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 10mA,1V 
- 频率 - 跃迁:100MHz 
- 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:E-Line-3 
- 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容) 
- 描述:TRANS PNP 15V 3A E-LINE 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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